周艳 | 自旋拓扑磁结构基础研究及应用

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题目:自旋拓扑磁结构基础研究及应用

时间:2022年5月26日(星期四) 10:00-12:00

报告人:周艳  副教授  香港中文大学(深圳)

地点:线上

报告摘要:

磁斯格明子是一种拓扑稳定的自旋分布,具有纳米尺度、类粒子性和驱动电流小等特性,被广泛认为是下一代高密度信息存储设备的基本单元。周艳教授团队从新材料体系拓扑磁结构、拓扑磁结构的产生/输运/调控、原型器件构筑和设计三大方面开展了系列前瞻性研究,主要包括:(1)理论预言并实验验证(单相+人工合成)反铁磁、亚铁磁、阻挫体系的拓扑磁结构。在这种体系里,磁斯格明子的旋度(helicity)作为一个新的自由度可以被实验调控,进而设计新型的功能器件。 (2)致力于解决磁斯格明子在应用角度的关键性问题 — 磁斯格明子霍尔效应,这种效应导致磁斯格明子作为信息载体的湮灭,进而导致自旋拓扑功能性器件的失效。(3)提出基于磁斯格明子的赛道存储器、逻辑电路、微波源器件、拓扑类脑计算重要概念,这些领域已经成为研究热点。

报告人简介

周艳,2003年毕业于中国科学技术大学(本科),2009年博士毕业于瑞典皇家工学院。2015年入选国家特聘青年专家,2016年起任职香港中文大学(深圳)副教授(长聘),2020年理工学院负责科研的助理院长。以第一或通讯者发表JCR Q1论文100余篇,引用10000余次,H 因子为50。周艳教授长期担任Review of Modern Physics, Nature,Nature Materials, Nature Physics、Nature Nanotechnology、PRL等杂志审稿人。曾多次获邀在美国材料学会、美国物理学会、中国物理学会做邀请报告, 亦受邀为国家自然科学基金委、法国国家研究署、德国科学基金会、欧盟基金、深圳科创委评审项目。