常凯 | Scanning Tunneling Microscopic Studies of Group-IV Monochalcogenide 2D Semiconductors

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►【纳米物理与器件重点实验室系列学术报告(140)】

题目:Scanning Tunneling Microscopic Studies of Group-IV Monochalcogenide 2D Semiconductors

时间:2021年12月21日(星期二)

报告人:常 凯 研究员 北京量子信息科学研究院

地点:M253

 

报告摘要:

IV-VI族半导体材料(化学通式为MX,其中M = Ge, Sn, Pb;X = S, Se, Te)具有极其丰富的物态相图。通过改变材料的尺寸、化学组分、外加应力和电场等,可以改变材料晶体结构的对称性和自旋轨道耦合的大小,从而产生对半导体能隙、电子能谷、铁电、拓扑等一系列材料性质的调控效应,有望为未来低能耗、非易失性电子器件的设计提供新的思路。本报告将从IV-VI族二维铁电材料的发现开始,依次介绍此类材料中铁电性质的表征与操纵、晶格结构和对称性的调控、铁电畴造成的电子态限域效应、自发极化诱导的电子能谷退简并效应、铁电畴壁与边缘上束缚的一维金属态、铁电-顺电异质结的界面调控效应等。最后,我们将简要介绍本团队最近在2D-XY型二维铁磁材料研究上取得的进展。

参考文献:Science 353, 274 (2016); Adv. Mater. 31, 1804428 (2019); Phys. Rev. Lett. 122, 206402 (2019); APL Materials 7, 041102 (2019); Nano Lett. 20, 6590 (2020); J. Appl. Phys. 127, 220902 (2020); Adv. Mater. 33, 2102267 (2021); Science 374, 616 (2021); Rev. Mod. Phys. 93, 011001 (2021).

报告人简介

常凯研究员,2009年于山东大学物理与微电子学院获得学士学位,2015年于清华大学物理系获得博士学位, 2015-2019年在德国马克斯普朗克微结构物理研究所任博士后研究员,随后加入北京量子信息科学研究院,任量子物态科学研究部低维量子材料团队负责人。常凯研究员长期致力于高质量低维量子材料及其异质结的生长与扫描隧道显微学研究,特别是二维铁电、铁磁材料及其异质结的实验研究,在国际顶尖期刊上发表论文20余篇,包括以一作/通讯身份发表的Science 2篇、PRL 1篇、Advanced Materials 2篇等,受邀为Reviews of Modern Physics撰写IV-VI族二维材料领域综述论文。总被引2500余次,H因子为14。