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►【应用物理前沿系列报告（九）】

题目：“后摩尔时代”第三代磁存储芯片技术

时间：2020年11月3日（星期二）下午14:00-15:30

报告人：赵巍胜  教授  北京航空航天大学

摘要：利用电子的自旋属性，巨磁阻及隧穿磁阻等微纳器件在过去的30年中快速发展，带来了数据存储的革命，开辟了大数据信息时代。通过把自旋电子器件与半导体技术结合，1995年起磁存储器及传感器芯片相继问世，其中第一代磁存储器芯片从2006年起成为欧美航空航天芯片的主流存储技术之一，磁传感器芯片从2016年起在高端手机上大规模使用，2018年起国际上三大芯片代工都宣布将开始量产第二代嵌入式磁存储器芯片用于实现高速、低功耗非易失信息存储。当前，第三代磁存储芯片被认为是后摩尔时代可彻底解决功耗瓶颈，特别是支撑高能效比人工智能的关键技术，具有重要的应用前景。本报告将从自旋电子技术的发展延伸介绍第三代磁存储芯片技术并讨论我国在该领域发展的机会。

报告人简介：赵巍胜教授，IEEE Fellow, 北航集成电路科学与工程学院院长，工信部空天信自旋电子重点实验室主任，2020年起担任IEEE电路与系统旗舰期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems-I 总主编。2007年获法国南巴黎大学（现巴黎萨克雷大学）物理学博士，2009年获法国国家科学院研究员（终身职位）与法国南巴黎大学客座教授，博士生导师，负责法国科学院基础电子研究所的自旋电子器件设计及建模团队， 2013年入职北京航空航天大学，10月组建自旋电子交叉学科研究中心，2014年与自旋电子创始人、诺贝尔奖得主费尔教授共同组建费尔北京研究院并担任院长。赵巍胜教授长期从事自旋电子学、新型信息器件、非易失存储器等领域的交叉研究，提出了将自旋轨道矩与自旋转移矩结合实现高速读写的新型自旋电子存储器件，研制了基于钨薄膜的超高隧穿磁阻效应隧道结器件。近五年以第一或通讯作者已在 Nature Electronics、Nature Communications等期刊发表论文200余篇，其中ESI高被引论文7篇，总索引超过 10000次。